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理学院青年学术论坛第32期——高Q高频微纳机电谐振器件研究

发布者: [发表时间]:2014-12-02 [来源]: [浏览次数]:

讲座题目:Q高频微纳机电谐振器件研究

报告人:杨晋玲研究员

主持人:唐为华 教授

间:2014124日(周四)下午1400-1500

点:主楼1214

报告简介:

Q高频微纳机电谐振器件在军民两用高技术和基础研究领域具有非常重要的应用价值,应用需求飞速增长。基于微纳谐振子的微纳谐振器件不仅具有高谐振频率、高Q值,而且可与IC电路在同一芯片集成,是取代射频收发组件中基于陶瓷、石英等材料的片外振荡器和滤波器的理想元件,能够很好满足未来无线通信系统高度集成化、小型化、低功耗的发展要求。另外,基于微纳谐振子的生化传感器具有高检测灵敏度和高特异性响应,在重大疾病早诊方面的应用需求非常广泛。报告主要介绍硅基高Q高频微纳机电谐振器件的研究进展及其在通讯和生物医学领域的应用,内容涉及几种高性能谐振器件的研制、性能测试和应用等。

报告人简介:

杨晋玲,中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师。传感技术国家重点实验室中国科学院半导体研究所专业点负责人。中国抗癌协会纳米肿瘤学专业委员会常务委员,中国微米纳米技术学会高级会员,现为国际核心期刊IEEE J. Microelectromech. Syst. / Nanotechnology / J. Micromech. Microeng. 等国内外微纳米技术期刊的审稿人。

1997-2004年,先后在日本东北大学的Venture Business Laboratory、德国弗莱堡大学的Institute for Microsystem Technology、瑞士巴塞尔大学的Institute of PhysicsIBM Zurich Research Laboratory工作。长期从事微纳电子机械系统器件研究,在国际核心刊物上发表论文60余篇,SCI总引600余次,单篇最高他引100余次。为两本丛书撰写了两章节。应邀为纳米技术百科全书《Encyclopedia of Nanotechnology》撰写了题为”Surface Dissipation in NEMS/MEMS”的文章。获得PCT国际专利1项,欧洲专利3项,申请中国发明专利25项(其中7项授权)。